【化工仪器网 政策标准】 近日，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟对外发布《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》征求意见稿，望相关部门提出宝贵意见。本文件自2021年1月1日开始实施。
　　本标准引用了IEC 60747-1-1983 半导体器件 分立器件和集成电路 第 1 部分：总则(Semiconductor devices. Discrete devices - Part 1 : General)； IEC 60747-2-2000 半导体器件 分立器件与集成电路 第 2 部分：整流二极管 (Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes)；IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管(Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors)；JEITA EDR-4713-2017 化合物半导体可靠性实验方法准则(Guidelines for Compound Power Semiconductor Device Reliability Test Method)等条款，详细叙述了该技术的范围、专用用语、文字符号、基础额定值和特性、测试方法等方面的内容。
　　额定值和特性有关的术语包括：关断电压的上升速率、反偏安全工作区、短路安全工作区、雪崩能量、重复雪崩能量、非重复雪崩能量、漏极泄漏电流、漏极-源极的击穿电压、(短路)输入电容、(短路)反向传输电容、栅极内阻、开关时间、开通能量、关断能量、栅极电荷、栅极总电荷、栅极阈值电荷、平台栅极电荷、栅极漏极电荷、输出电容电荷、漏极-源极反向电压、正向恢复电流、正向恢复时间、正向恢复电荷等。
　　上述术语中，标准术语有：漏极-源极反向电压、MOSFET 正向恢复电流、MOSFET 的正向恢复峰值电流、MOSFET 的正向恢复时间、MOSFET 正向恢复电荷、反向漏电流、漏极峰值反向电流。
　　其次，文件中所述的文字符号表主要包括电压、电流、开关能量、雪崩能量、电阻、栅极电荷等方面。具体信息请关注源文件：《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》